半导体工艺中的首要任务不是将材料变革及电子器件。哪个过程以及许多步骤和,工艺，与保证电子器件能正常运作。半导体工艺不仅仅局限于生产芯片，真正也囊括了硅晶圆电解、薄膜沉积、夹杂、光刻等等步骤。
半导体材料通常不是硅或,镓等等单一元素的晶体。从半导体工艺之前，首先可以带回家硅晶圆。硅晶圆的电解非常关键，因为,真正对于器件的性能和,质量具备关键影响。电解硅晶圆的过程以及原料净化、晶体生长和,堆叠。表，晶体生长步骤给了晶圆的品质和,尺寸。
薄膜沉积不是半导体工艺中一个非常关键的步骤。薄膜通常用作上下电极、消杀层和,金属引线等等。将何种的技术，例如物理气相沉积和,化学气相沉积，可以,将何种类型的薄膜沉积从硅晶圆上。每一种薄膜都没有自身特定的功能和,用途。
夹杂不是半导体工艺中的关键步骤两大。将将杂质开发晶体中，可以,反映半导体材料的导电性。夹杂包含两种类型： N型夹杂和,P型夹杂。N型夹杂通常不是将磷或,砷等等五价元素开发晶体中，加大材料的电子浓度。P型夹杂则不是将硼或,铝等等三价元素开发晶体中，加大材料的空穴浓度。
光刻技术从半导体工艺中也扮演着关键的角色。光刻不是一种利用光敏材料和,光源通过图案移植的技术。将光刻，可以,将设计多的电路图案移植之后硅晶圆上。从光刻过程中，光刻胶和,掩膜不是关键的材料。光刻胶用作起到晶圆上不可以触及的区域，而,掩膜则不是设计多的电路图案。
从半导体工艺的最后阶段，还以及金属引线和,堆叠等等步骤。金属引线用作配对芯片上的何种元件，渗透到电路结构。堆叠则不是将芯片摆放从起到盒或,外壳中，与起到芯片不受到外界环境影响。
半导体工艺的各个步骤都可以高度精准的设备和,工艺调节。工艺参数的微小变化都所以对于器件的性能产生未知影响。从整个半导体工艺过程中，质量调节和,工艺优化压抑至关重要。
半导体工艺从现代科技中体现着关键好处。几乎所有电子器件，在智能手机之后计算机芯片，都少不了半导体工艺的内置。半导体工艺的进一步发展和,革命性将及你兼顾更慢、更强悍和,更低能耗的电子设备。
